檢索結果：共7筆資料 檢索策略： "李奎毅".ccommittee (精準) and year="98"
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摘 要 本研究藉由蝕刻/顯影技術、化學氣相沉積(CVD)及陽極電鍍法製備出圖形化氧化錳/碳微管複合電極，以構成指叉式微型超高電容器來探討指叉式原件之擬電容表現，以及有、無金之疊層對成長…
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本實驗使用反應式離子束濺鍍法在矽(100) 基板上沉積氧化鋅掺雜鋁薄膜，利用改變基板溫度、鋁摻雜含量來觀察薄膜特性的改變，分別使用200℃、100℃及室溫來成長薄膜。200℃沉積之晶粒大小最大約為9…
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發光二極體一般都以外部發光量的變化來探討其發光品質，我們將應用順向偏壓法去量測發光二極體的接面溫度，再以光學顯微鏡配合上高倍數的物鏡，聚焦至發光二極體內部，藉由輸入10mA至240mA的電流，進行熱…
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本文藉由改變離子束轟擊角度，使Si (100) 基板表面產生不同波長之波紋形貌；使用反應式離子束濺鍍法成長氧化鋅奈米粒子，經由改變成長時間、基板溫度，討論最佳奈米粒子成長參數；最後將奈米粒子分別沉積…
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本實驗為利用離子束能量8、12以及16 keV 沉積不同表面粗糙度的鋅薄膜，再以330、380、400以及420 ℃熱氧化成長氧化鋅奈米線。實驗結果發現只有在離子束能量為12 keV 所沉積的鋅薄膜…
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本文以具偏光特性之白光發光二極體光源為目標進行各項相關研究，我們選用紫外光晶粒激發螢光粉的方式製作白光發光二極體，其優點為顏色不會隨溫度飄移且演色性高，但缺點為發光效率不高、紫外光外逸。而LED所產…
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本論文主要利用純度為99.95%釕靶材，藉由反應式射頻磁控濺鍍系統來研究二氧化釕成長於奈米碳管上之複合物分析，和對於此複合物做初步電容測試探討。利用不同的濺鍍條件，基板成長的溫度不同，可控制晶系結構…